目前III-V族化合物衬底费用普遍偏高,许多技术由此受到了其成本的限制。因此,能够重复使用原始衬底是一种可行的解决方法,但现有的衬底再利用技术存在明显缺陷。在这篇文章中,研究人员讨论了一种通过分子束外延在常用(001)GaAs衬底上沉积水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位电子束和低温成核层,在连续的NaCl层上生长单晶GaAs模板。模板层可以通过NaCl的溶解而从衬底上快速去除,Lift-off(剥离工艺)后的原始晶片rms表面粗糙度仅增加了0.2nm。
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