销售咨询热线:
18911365393
产品目录
技术文章
首页 > 技术中心 > 水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

 更新时间:2023-12-11 点击量:557
图片


主要内容


目前III-V族化合物衬底费用普遍偏高,许多技术由此受到了其成本的限制。因此,能够重复使用原始衬底是一种可行的解决方法,但现有的衬底再利用技术存在明显缺陷。在这篇文章中,研究人员讨论了一种通过分子束外延在常用(001)GaAs衬底上沉积水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位电子束和低温成核层,在连续的NaCl层上生长单晶GaAs模板。模板层可以通过NaCl的溶解而从衬底上快速去除,Lift-off(剥离工艺)后原始晶片rms表面粗糙度仅增加了0.2nm。


图片
图片
其中研究过程中使用巨力光电代理的kSA BandiT实时衬底温度测试仪来测量衬底温度。


产品推荐

1. kSA BandiT实时衬底温度测试仪 是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理,实时测量晶片/衬底的温度。

图片


文献信息


Molecular beam epitaxy of GaAs templates on water soluble NaCl thin films 
Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, Helio R. Moutinho, William E. McMahon, Aaron J. Ptak, David L. Young*