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主要内容
由于 III-V 族半导体生长所需的衬底成本过高，这使得大面积半导体生长技术受到限制。因此，能够分离器件层并重复使用原始衬底是较为理想的方案，但现有的从衬底上剥离薄膜技术具有显著缺点。这篇文章讨论了在 III-V 族衬底和覆盖层之间所生长的水溶性碱卤盐薄膜的复杂性。大部分困难源于生长的 GaAs 在高温下会在 NaCI 表面活性分解。GaAs 沉积之前和沉积期间，原位电子束入射到 NaCl 表面会影响 III−V 族覆盖层结晶度和形态。
在这篇文章中，团队研究了生长过程中宽范围生长温度、元素源和高能电子在不同点的撞击通量时间等因素对生长的影响。其中发现，根据特定生长条件会出现各种形态（离散岛状物、多孔材料及具有尖锐界面的致密层）和结晶度（非晶、结晶、高纹理），这主要是由 GaAs 成核的变化驱动，而 GaAs 成核在很大程度上受到反射式高能电子衍射束的影响。
其中由巨力光电代理的 kSA BandiT实时衬底温度测试仪 在研究过程中提供温度测量
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kSA BandiT实时衬底温度测试仪 是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统，采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理，实时测量晶片/衬底的温度。
文献信息
Consideration of the Intricacies Inherent in Molecular Beam Epitaxy of the NaCl/GaAs System
Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, William E. McMahon, Helio R. Moutinho, Aaron J. Ptak, and David L. Young*
