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ACS Omega:对MBE系统生长NaCl/GaAs体系内在特性的思考

 更新时间:2023-06-19 点击量:465

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主要内容

由于 III-V 族半导体生长所需的衬底成本过高,这使得大面积半导体生长技术受到限制。因此,能够分离器件层并重复使用原始衬底是较为理想的方案,但现有的从衬底上剥离薄膜技术具有显著缺点。这篇文章讨论了在 III-V 族衬底和覆盖层之间所生长的水溶性碱卤盐薄膜的复杂性。大部分困难源于生长的 GaAs 在高温下会在 NaCI 表面活性分解。GaAs 沉积之前和沉积期间,原位电子束入射到 NaCl 表面会影响 III−V 族覆盖层结晶度和形态。

在这篇文章中,团队研究了生长过程中宽范围生长温度、元素源和高能电子在不同点的撞击通量时间等因素对生长的影响。其中发现,根据特定生长条件会出现各种形态(离散岛状物、多孔材料及具有尖锐界面的致密层)和结晶度(非晶、结晶、高纹理),这主要是由 GaAs 成核的变化驱动,而 GaAs 成核在很大程度上受到反射式高能电子衍射束的影响。

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其中由巨力光电代理的 kSA BandiT实时衬底温度测试仪 在研究过程中提供温度测量


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kSA BandiT实时衬底温度测试仪 是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理,实时测量晶片/衬底的温度。

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文献信息

Consideration of the Intricacies Inherent in Molecular Beam Epitaxy of the NaCl/GaAs System

Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, William E. McMahon, Helio R. Moutinho, Aaron J. Ptak, and David L. Young*