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IOP Science:分子束外延生长PbTe纳米线

 更新时间:2023-05-23 点击量:366

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主要内容

量子技术的进步来自于发现提高电子器件性能和功能的新材料系统。碲化铅(PbTe)是IV–VI材料家族的一员,拥有可探索的未知潜力。由于其高电子迁移率、强自旋轨道耦合和超高介电常数,它可以容纳少量电子量子点和弹道量子线,并有机会控制电子自旋和其他量子自由度。

在这篇文章中,研究团队报道了如何通过分子束外延制备PbTe纳米线。实现了适用于量子器件的无缺陷单晶PbTe,具有高达50的纵横比。此外,通过制造单个纳米线场效应晶体管实现了双极传输,提取带隙并观察电导的Fabry–P´erot振荡及准传输的特征。


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其中由巨力光电代理的 kSA BandiT实时衬底温度测试仪 在研究过程中提供测量实时温度


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文献信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers