含有重金属的近红外有机发光二极管（NIR OLEDs）因其应用优势而常被报道。但对于商业应用，由于其功耗的原因，有必要从辐射容量（RC）的角度来探索器件性能。
研究人员开发了一种基于Ir（III）的新型异质近红外材料，用于近红外有机发光二极管（NIR OLEDs）。这些材料具有高度定向的水平偶极比和短辐射寿命。在NIR OLEDs中，这些器件提供极低的导通电压和高辐射容量，使其适用于各种应用。这项研究表明，在类似的基于Ir（III）的近红外OLEDs中，它具有优异的器件性能，这使其成为一种有前途的商业应用材料。
发射层沉积在50nm厚的玻璃衬底上。其中使用我公司代理的Phelos角度分辨电致发光/光致发光测量系统收集了全角度相关p偏振PL光谱。产品推荐-Phelos角度分辨电致发光/光致发光测量系统Phelos用于测量OLED、钙钛矿LED及其他发光器件的发射光谱特性和极化角，同时也可测量器件的s和p偏振光谱、发射光谱与角度的关系，计算出发射层中激子的发光角度及位置分布。
Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity
Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi
