销售咨询热线:
18911365393
产品目录
技术文章
首页 > 技术中心 > 技术文献:基于异质Ir(III)的高辐射容量近红外有机发光二极管

技术文献:基于异质Ir(III)的高辐射容量近红外有机发光二极管

 更新时间:2023-03-08 点击量:340

图片


主要内容
含有重金属的近红外有机发光二极管(NIR OLEDs)因其应用优势而常被报道。但对于商业应用,由于其功耗的原因,有必要从辐射容量(RC)的角度来探索器件性能。


研究人员开发了一种基于Ir(III)的新型异质近红外材料,用于近红外有机发光二极管(NIR OLEDs)。这些材料具有高度定向的水平偶极比和短辐射寿命。在NIR OLEDs中,这些器件提供极低的导通电压和高辐射容量,使其适用于各种应用。这项研究表明,在类似的基于Ir(III)的近红外OLEDs中,它具有优异的器件性能,这使其成为一种有前途的商业应用材料。


发射层沉积在50nm厚的玻璃衬底上。其中使用我公司代理的Phelos角度分辨电致发光/光致发光测量系统收集了全角度相关p偏振PL光谱。
图片

产品推荐-Phelos角度分辨电致发光/光致发光测量系统

Phelos用于测量OLED、钙钛矿LED及其他发光器件的发射光谱特性和极化角,同时也可测量器件的s和p偏振光谱、发射光谱与角度的关系,计算出发射层中激子的发光角度及位置分布。


图片



文献信息

Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity

Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi


- 产品咨询及购买请联系我们 -