原子层沉积系统是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。 原子层沉积系统特点：是一款独立的PC计算机控制的ALD，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。系统提供12”的铝质反应腔体，带有加热腔壁和气动升降顶盖，非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸，用于前驱体以及反应物，同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。
选配：系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)，ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)，臭氧发生器，等等。
应用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.
Nano laminates纳米复合材料
随着原子层沉积技术与其他先进技术不断融合以及人们对原子层沉积设备的不断改进，诸如“等离子体增强原子层沉积技术”、“空间式原子层沉积技术”、“流化床原子层沉积技术”等新型原子层沉积技术逐渐出现并在一定程度上有效解决了传统热原子层沉积技术所面临的诸多难题。
在过去二十多年，等离子体增强原子层沉积技术发展迅速。通过巧妙设计等离子体引入方式，人们已经设计出各种等离子体增强原子层沉积设备。
从文献报道来看，针对太阳能光伏领域的应用，一套成熟的空间式原子层沉积设备需保证每小时超过3000片156×156mm2规格Si片的生产能力。由于空间式原子层沉积设备中沉积速率不再受限于单个循环步骤的累计时间，仅取决于衬底或前驱体喷嘴在两个半反应区间移动所需的时间，而薄膜厚度也仅取决于喷头上所集成的沉积单元数量，若能保证1s通过一个这样规格的Si片，目前的设计*可以满足工业化应用需求。此外，针对柔性衬底表面沉积时，采用转动式的反应器设计，同样能将沉积速率提升至1.2nm/s。
原子层沉积技术经过四十多年的发展，无论是在沉积材料的种类还是具体沉积方法的扩展与改进上，都已经取得了长足进步，在众多领域更是展现出令人期待的商业前景。但传统的热原子层沉积技术在发展过程中仍面临着一些挑战。
