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kSA BandiT实时衬底温度测试仪

描述:kSA BandiT实时衬底温度测试仪是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化,实时测量晶片/衬底的温度;并且kSA BandiT 已经成功地安装到众多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上,实现了晶片的温度实时检测。

更新时间:2021-01-06
产品型号:
厂商性质:代理商
详情介绍
品牌其他品牌价格区间面议
仪器种类多通道产地类别进口
应用领域医疗卫生,生物产业,农业,地矿,能源

kSA BandiT实时衬底温度测试仪是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统,采用半导体材料吸收边随温度的变化,实时测量晶片/衬底的温度;并且kSA BandiT 已经成功地安装到众多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上,实现了晶片的温度实时检测。 

kSA BandiT多晶片温度监控软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而实现了MBE外延薄膜生长过程中多衬底温度实时Mapping检测。 

该系统在外延薄膜生长过程提供衬底/晶片实时的二维温度信息的系统。对Wafer(及薄膜)表面温度实时、非接触、非入侵的直接检测;采用温度和半导体材料对光的吸收边(谱带能量)相关性原理,即材料的本征特性,使得测量结果更为准确;可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上,进行实时温度检测。

kSA BandiT实时衬底温度测试仪

技术参数:
  温度范围:室温~1300摄氏度;
  温度重复性:0.2摄氏度;
  温度分辨率:0.1摄氏度;
  稳定性:+/-0.2摄氏度;

主要特点:
     *实时、非接触、非入侵、直接Wafer温度监测;
     *多基片/晶片表面2D温度Mapping监测;
     *真实的Wafer表面或薄膜温度监测;
     *整合了新的黑体辐射监测技术;
     *沉积速率和薄膜厚度分析;
     *表面粗糙度分析功能;
     *测量波长范围可选(例如:可见光波段、近红外波段等)
     *避免了发射率变化对测量的影响;
     *无需沉积设备Viewport特殊涂层;

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