品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
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价格区间 | 面议 | 应用领域 | 环保,化工,生物产业,能源,电子 |
kSA 400 RHEED分析系统,适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统(如:脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等)!目前第四代系统结合新的硬件和软件,为客户提供丰富的RHEED分析信息。
kSA 400 RHEED分析系统 超过500个用户,国内如南京大学、中科院半导体所、电子部11所、中国科技大学、复旦大学、上海技术物理研究所等;
技术参数:
• CCD系统:高速、高分辨和高灵敏度三种可选
• 光学系统:RHEED定量分析及成像分析
• 标准接口法兰
主要特点:
• 图像分析:单一图像分析(静态分析)模式,用户选择多图像模式,聚焦模式,扫描模式,录像模式,交互图像叠加模式,2D和3D图像分析;
• 实时衍射条纹演化监控拍摄;
• 实时薄膜沉积速率测量;
• 原位表面诊断分析
• 软件分析功能
• RHEED振荡追踪检测
• 可扩展:Phase Locked Epitaxy (PLE), LEED, Auger/XPS,电子枪控制和摇摆曲线扫描;
专业的RHEED分析系统(kSA 400 Analytical RHEED System),适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统(如:脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等)!目前第四代系统结合新的硬件和功能强大的软件为客户提供广泛的RHEED分析信息。kSA 400 RHEED分析系统,适合各种RHEED系统和薄膜沉积系统(如:脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气象沉积MOCVD等)!目前第四代系统结合新的硬件和软件,为客户提供丰富的RHEED分析信息。
实际应用广泛,欢迎广大新老客户咨询,我们会竭力为您解决问题。期待我们能成为朋友,能为您的科研事业尽到微薄之力,我们倍感荣幸。同时感谢广大用户对我们一直的支持。谢谢!