台式 无掩膜光刻系统

品牌：Nanyte

产地：新加坡

NANYTE BEAM 台式无掩模光刻系统Maskless lithography System/桌面型激光直写系统Direct Laser Writing System加工处理微纳米级的结构图案，无需昂贵的掩膜，通过聚焦激光束扫描对基片表面的光刻胶直接进行变剂量曝光，实现微米至纳米尺度的图案加工。在确保其优异性能的同时，小型化设计使得操作更为便捷，且实现快速加工处理，不但提高了微纳米器件科研和生产的效率，还有效的节省了成本。

光束引擎将紫外激光束聚焦到衍射极限点，通过该聚焦点依照设计好的图案扫描对光刻胶进行曝光；同时，针对大尺寸晶圆/基片，通过精密步进器移动晶圆/基片进行多次曝光，接着缝合多次曝光图案，完成对整个晶圆/基片的微纳米图案加工。该光束引擎能够在6英寸晶圆上加工小于500nm的特征线宽。

lCompact.

-紧凑式全功能无掩膜光刻机

lPowerful.

-小于500nm特征线宽处理

-实现2秒内完成单个区域图案曝光

-加工尺寸150mmX150mm

lUltrafast autofocus.

-实现1秒内完成聚焦

-压电驱动器配合闭环聚焦光学控制

lNo-fuss multilayer.

-几分钟内实现半自动多层对准

软件控制界面：

-软件界面人性化设计，WASD导航，右键点击任何地方即可到达

-自动图像识别

-几分钟内实现多层对准

-几秒钟内在光刻胶上曝光任何图案或书写任何文字

-只需加载、对准和曝光

-类似CNC导航操作

-多层曝光时，GDS图案可视化；软件会加载GDS小地图，一键导航到晶圆上任何区域

应用实例：

硅衬底上图案阵列，每个单元为50×63μm，

相邻图案之间的间距为3μm

光刻胶：AZ5214E

开环谐振器阵列, 右侧离距离1.5μm

左侧的分离距离为2μm，外圈直径为80μm

交叉电容器 (IDCs) ，2 μm栅线宽度

光刻胶: AZ5214E

金属化开环非对称谐振器

0.8μm锥形部分，侧面20✕90μm接触电极

光刻胶：AZ5214E

应用领域：

• 光子学领域：用于制造光子晶体、波导、微透镜、衍射光学元件等，这些元件在光通信、光计算、光学成像等领域有着广泛的应用。例如，制造具有特定光学性能的微透镜阵列，可用于成像系统、光传感器等设备中，提高其性能和集成度。

• 生物医学领域：可用于制备组织工程支架、微流控芯片、生物传感器等。

• 微电子学领域：在集成电路制造中，用于制作掩模、光刻胶图案等，特别是对于小批量、高精度的集成电路芯片制造，激光直写技术具有成本低、灵活性高的优势。此外，还可用于制造微机电系统（MEMS）器件，如微机械结构、微传感器、微执行器等。