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高场宽频谱介电测量系统

描述:高场宽频谱介电测量系统当通过LCR Meter或者分析仪(Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A)测量介电常数时,加载电压通常1V左右;然而,很多压电陶瓷(PZT)和高分子(PVDF)对于加载的电场具有非线性响应;通常它们的介电常数和损耗因子在高压下变得更低。

更新时间:2024-07-04
产品型号:
厂商性质:代理商
详情介绍
品牌其他品牌价格区间面议
产地类别进口应用领域环保,化工,生物产业,能源,电子

高场宽频谱介电测量系统

高场宽频谱介电测量系统当通过LCR Meter或者分析仪(Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A)测量介电常数时,加载电压通常1V左右;然而,很多压电陶瓷(PZT)和高分子(PVDF)对于加载的电场具有非线性响应;通常它们的介电常数和损耗因子在高压下变得更低。


非线性介电响应:
      -当通过LCR Meter或者分析仪(Agilent/Keysight 4284A, E4980A,4294A)测量介电常数时,加载电压通常1V左右;然而,很多压电陶瓷(PZT)和高分子(PVDF)对于加载的电场具有非线性响应;通常它们的介电常数和损耗因子在高压下变得更低。
      -在很多应用中,例如电容器和驱动器,介电层>10V/um或者100V/um的高电场下工作,它们的有效介电常数和损耗tanδ是非常不用于普通LCR Meter和阻抗分析仪的测量值@1Vrms。
      -在介电测试过程中直接加载一个高压信号,如果样品突然发生介电击穿,这对于昂贵的LCR Meter有很大的损坏风险。


因此美国Polyk Technologies公司研发了此款宽频谱介电测量系统,有效的避免了上述问题的发生。


高场宽频谱介电测量系统

技术规格:
1)大电压:±4000V;
2)大电流:±20mA;
3)频率范围:100Hz to 1MHz;
4)电容范围:100pF to 100nF;
5)温度范围:-184℃ to 250℃;

6)温度控制腔室:-75℃ to 200℃;(可选)

7)温度控制腔室:室温 to 1000℃;(可选)
8)宽频范围:20 Hz to 1 MHz or 110 MHz, or 0.01 Hz to 1 MHz(与配备的阻抗分析仪相关);(可选)
9)Large AC信号单元;(可选)


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